2026年度上期（2026年 1 月～2026年 6 月）の化合物半導体製品の出荷額は、前年同期比141％の218億円となりました。 結晶別ではGaAs、GaP、InPすべてにおいて増加となりました。 用途別では可視LED、LD、赤外LED、その他すべてで増加となりました。 1．...
2026年度上期（2026年 1 月～2026年 6 月）の化合物半導体製品の出荷額は、前年同期比141％の218億円となりました。
結晶別ではGaAs、GaP、InPすべてにおいて増加となりました。
用途別では可視LED、LD、赤外LED、その他すべてで増加となりました。
1．GaAs
2026年度上期（2026年 1 月～2026年 6 月）のGaAsの売上高は、前年同期比144%の113億円と大きく増加しました。
国内向けは同124%の17億円、海外向けは同148%の96億円とともに増加しました。
GaAsの主な用途市場はスマートフォン等に使用される高周波デバイス、また各種の表示機器やセンサ
等に使用される可視・赤外 LED、および光ディスク・加工機・センサ等に使用されるレーザダイオード
（LD）等があります。特段の用途向けでの大きな需要増はありませんが、全体的に増加傾向です。中国の輸出規制の長期化に伴い、ノンチャイナ志向の高まりが影響している可能性があります。
2．GaP
2026年度上期（2026年 1 月～2026年 6 月）のGaP の売上高は、前年同期比138%の5.9億円と大きく増加しました。
国内向けは同126%の1.7億円、海外向けは同144%の4.1億円と共に増加しました。
GaPの主要用途は可視LEDです。前年同期では在庫過多状況が続いていましたが、回復傾向が進んだと推察されます。データセンター向け需要拡大も増加傾向を促進したと推測されます。
3．InP
2026年度上期（2026年 1 月～2026年 6 月）の InP の売上高は、前年同期比130%の80億円と大きく増加しました。
国内向けは同138%の28億円、海外向けが同142%の52億円と共に増加。海外向けが全体の65%を占め、市場拡大を牽引しています。
InPは、光通信で用いられるレーザーや受光素子などの主要材料として使用され、特に海外市場では、北米の大規模データセンター事業者によるAI向けデータセンター設備投資の拡大を背景に、高速度帯の光トランシーバー需要が急増しており、関連するInPデバイス向け基板・部品需要が拡大していると推測されます。
・協会会員外の化合物半導体メーカーにも広く調査協力を呼びかけ、化合物半導体の市場規模調査を実施し、業界動向についての基礎資料の充実を図るとともに、上期と下期の２回に分けて、業界の出荷状況を経済産業省と報道機関に報告しました。また、市場規模調査の在り方等について検討し、引き続き統計類の充実を図るた...
・協会会員外の化合物半導体メーカーにも広く調査協力を呼びかけ、化合物半導体の市場規模調査を実施し、業界動向についての基礎資料の充実を図るとともに、上期と下期の２回に分けて、業界の出荷状況を経済産業省と報道機関に報告しました。また、市場規模調査の在り方等について検討し、引き続き統計類の充実を図るための活動を進めました。
・非鉄金属7団体が共同で運営する学生リクルート向けホームページの維持、管理を行いました。
・協会ホームページで部会活動、業界動向等の情報を広く発信するための議論を行い、発信内容を検討しました。
1982：CDプレーヤー発売 （オプトデバイス）
1994：LED信号機登場 （オプトデバイス）
導体と絶縁体の中間にあって、条件次第では導体にも絶縁体にもなり得る物質の総称である。
Si,Ge等は単体の元素の半導体であるが、複数の元素の化合物で半導体の性質をもつものを…
導体と絶縁体の中間にあって、条件次第では導体にも絶縁体にもなり得る物質の総称である。
Si,Ge等は単体の元素の半導体であるが、複数の元素の化合物で半導体の性質をもつものを化合物半導体と呼ぶ。その組合わせは、いろいろあるが代表的なものとして周期律表のⅢ族とⅤ族（GaAs,GaP,InP等）あるいはⅡ族とⅥ族（ZnSe,CdSe等）、Ⅳ族同士（SiC）の組合わせがあり、それぞれ異なった機能を発揮する。
化合物半導体にはSi等の単体元素半導体に比べ、次のような優れた特徴がある。
・受発光機能
・高速動作特性
・高周波特性
・磁電変換機能
・耐放射線・耐熱特性
